2SC1032 Todos los transistores

 

2SC1032 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC1032
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 25 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.025 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 3.6 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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2SC1032 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:453K  sony
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2SC1032

 8.2. Size:44K  jmnic
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2SC1032

Power Transistors www.jmnic.com 2SC1030 Silicon NPN Transistors 1B 2E 3C Features With TO-3 package Low frequency power amplifications Absolute Maximum Ratings Tc=25 SYMBOL PARAMETER RATING UNITVCBO Collector to base voltage 150 V VCEO Collector to emitter voltage 80 V VEBO Emitter to base voltage 6 V IC Collector current-Continuous 6 A PD Total Power Dissipation@TC

 8.3. Size:181K  inchange semiconductor
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2SC1032

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC1034DESCRIPTIONDC Current Gain -h = 4(Min)@ I = 0.75AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 700V(Min)CEO(SUS)Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operation.APPLICATIONSDesigned for use in general purpose power amplifier andswitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM

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History: BC857AMTF | D38S2 | OC883 | FTC2316 | 2SD1781K-Q | LDTA114EET1G | LBC848BPDW1T3G

 

 
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