2N1666 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 2N1666
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 32 V
   Tensión emisor-base (Veb): 2 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 90 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 0.1 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
   Paquete / Cubierta: TO3
     - Selección de transistores por parámetros