2N1666 Todos los transistores

 

2N1666 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N1666
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 32 V
   Tensión emisor-base (Veb): 2 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 90 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 0.1 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
   Paquete / Cubierta: TO3

 Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2N1666

 

2N1666 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:260K  general electric
2n166.pdf

2N1666

Otros transistores... 2N1659A-13 , 2N166 , 2N1660 , 2N1661 , 2N1662 , 2N1663 , 2N1664 , 2N1665 , D882P , 2N1667 , 2N1668 , 2N1669 , 2N167 , 2N1670 , 2N1672 , 2N1672A , 2N1673 .

 

 
Back to Top

 


2N1666
  2N1666
  2N1666
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050

 

 

 
Back to Top