2N1666 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N1666
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 32 V
Tensión emisor-base (Veb): 2 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 90 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 0.1 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
Paquete / Cubierta: TO3
Otros transistores... 2N1659A-13 , 2N166 , 2N1660 , 2N1661 , 2N1662 , 2N1663 , 2N1664 , 2N1665 , D882P , 2N1667 , 2N1668 , 2N1669 , 2N167 , 2N1670 , 2N1672 , 2N1672A , 2N1673 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050