Биполярный транзистор 2N1666 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: 2N1666
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 32 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 90 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.1 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: TO3

Другие транзисторы... 2N1659A-13 , 2N166 , 2N1660 , 2N1661 , 2N1662 , 2N1663 , 2N1664 , 2N1665 , D882P , 2N1667 , 2N1668 , 2N1669 , 2N167 , 2N1670 , 2N1672 , 2N1672A , 2N1673 .