2SC1779A Todos los transistores

 

2SC1779A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC1779A
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.02 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 450 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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2SC1779A Datasheet (PDF)

 7.1. Size:43K  no
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2SC1779A

 8.1. Size:79K  panasonic
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2SC1779A

 8.2. Size:36K  hitachi
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2SC1779A

2SC1775, 2SC1775ASilicon NPN EpitaxialApplication Low frequency low noise amplifier Complementary pair with 2SA872/AOutlineTO-92 (1)1. Emitter2. Collector3. Base3212SC1775, 2SC1775AAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol 2SC1775 2SC1775A UnitCollector to base voltage VCBO 90 120 VCollector to emitter voltage VCEO 90 120 VEmitter to base voltag

 8.3. Size:177K  inchange semiconductor
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2SC1779A

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC1777DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-V = 70V(Min)CEO(SUS)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSAutomotive ignitionSwitching regulatorMotor control applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAM

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History: 2SC3299O | BDX86A | BLY89C | PH2226-110M | 2SD2122LB | LDTA123EM3T5G | 2SD1232

 

 
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