2SC1779A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC1779A

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 450 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 2SC1779A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC1779A даташит

 7.1. Size:43K  no
 2sc1779.pdf pdf_icon

2SC1779A

 8.1. Size:79K  panasonic
 2sc1778.pdf pdf_icon

2SC1779A

 8.2. Size:36K  hitachi
 2sc1775.pdf pdf_icon

2SC1779A

2SC1775, 2SC1775A Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency low noise amplifier Complementary pair with 2SA872/A Outline TO-92 (1) 1. Emitter 2. Collector 3. Base 3 2 1 2SC1775, 2SC1775A Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol 2SC1775 2SC1775A Unit Collector to base voltage VCBO 90 120 V Collector to emitter voltage VCEO 90 120 V Emitter to base voltag

 8.3. Size:177K  inchange semiconductor
 2sc1777.pdf pdf_icon

2SC1779A

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SC1777 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 70V(Min) CEO(SUS) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Automotive ignition Switching regulator Motor control applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAM

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC1773, 2SC1774, 2SC1775, 2SC1775A, 2SC1776, 2SC1777, 2SC1778, 2SC1779, S9013, 2SC1779B, 2SC178, 2SC1780, 2SC1781, 2SC1781H, 2SC1782, 2SC1783, 2SC1784