2SC1973 Todos los transistores

 

2SC1973 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC1973
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.75 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 300 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 12 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: TO92
     - Selección de transistores por parámetros

 

2SC1973 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:37K  no
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2SC1973

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2SC1973

 8.3. Size:184K  inchange semiconductor
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2SC1973

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC1975DESCRIPTIONCollector-Base Breakdown Voltage: V =160V(Min)(BR)CBOWithstands worst overload conditions.100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesign for used in transceiver power output applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

 8.4. Size:212K  inchange semiconductor
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2SC1973

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC1971DESCRIPTIONHigh Power Gain-: G 7dB, P = 6W; V = 13.5Vpe O CEHigh ReliabilityMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for RF power amplifiers on VHF band mobile radioapplications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Bas

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History: ZDT1049 | 2N6364 | 2SC3110

 

 
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