2SC1973 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC1973  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SC1973

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC1973 даташит

 8.1. Size:37K  no
 2sc1975.pdf pdf_icon

2SC1973

 8.2. Size:37K  no
 2sc1974.pdf pdf_icon

2SC1973

 8.3. Size:184K  inchange semiconductor
 2sc1975.pdf pdf_icon

2SC1973

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SC1975 DESCRIPTION Collector-Base Breakdown Voltage V =160V(Min) (BR)CBO Withstands worst overload conditions. 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Design for used in transceiver power output applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

 8.4. Size:212K  inchange semiconductor
 2sc1971.pdf pdf_icon

2SC1973

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC1971 DESCRIPTION High Power Gain- G 7dB, P = 6W; V = 13.5V pe O CE High Reliability Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for RF power amplifiers on VHF band mobile radio applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Bas

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC1967, 2SC1968, 2SC1968A, 2SC1969, 2SC197, 2SC1970, 2SC1971, 2SC1972, 2N2222A, 2SC1974, 2SC1975, 2SC1976, 2SC1977, 2SC1978, 2SC198, 2SC1980, 2SC1981