2SC1986 Todos los transistores

 

2SC1986 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SC1986

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W

Tensión colector-base (Vcb): 100 V

Tensión colector-emisor (Vce): 80 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hfe): 40

Empaquetado / Estuche: TO220

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2SC1986

 

2SC1986 Datasheet (PDF)

1.1. 2sc1985 2sc1986.pdf Size:83K _sanken-ele

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1.2. 2sc1985 2sc1986.pdf Size:58K _inchange_semiconductor

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Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC1985 2SC1986 DESCRIPTION ·With TO-220 package ·Complement to type 2SA770/771 ·Low collector saturation voltage APPLICATIONS ·For general and industrial purpose applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 Emitter Absolute maximum ratings(Ta=25?)

 1.3. 2sc1986.pdf Size:185K _inchange_semiconductor

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INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SC1986 DESCRIPTION ·Silicon NPN tripe diffused mesa ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- :V = 80(V)(Min.) (BR)CEO ·100% avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·General and industrial purpose ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃) a SYMBOL PARAMETER

Otros transistores... 2SC1981 , 2SC1981S , 2SC1982 , 2SC1982S , 2SC1983 , 2SC1984 , 2SC1984A , 2SC1985 , 431 , 2SC1987 , 2SC1988 , 2SC1989 , 2SC198A , 2SC199 , 2SC1990 , 2SC1991 , 2SC1992 .

 

 
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