Справочник транзисторов. 2SC1986

 

Биполярный транзистор 2SC1986 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SC1986

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40

Корпус транзистора: TO220

Аналоги (замена) для 2SC1986

 

 

2SC1986 Datasheet (PDF)

1.1. 2sc1985 2sc1986.pdf Size:83K _sanken-ele

2SC1986



1.2. 2sc1985 2sc1986.pdf Size:58K _inchange_semiconductor

2SC1986
2SC1986

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC1985 2SC1986 DESCRIPTION ·With TO-220 package ·Complement to type 2SA770/771 ·Low collector saturation voltage APPLICATIONS ·For general and industrial purpose applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 Emitter Absolute maximum ratings(Ta=25

 1.3. 2sc1986.pdf Size:185K _inchange_semiconductor

2SC1986
2SC1986

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SC1986 DESCRIPTION ·Silicon NPN tripe diffused mesa ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- :V = 80(V)(Min.) (BR)CEO ·100% avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·General and industrial purpose ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃) a SYMBOL PARAMETER

Другие транзисторы... 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2N32 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N4401 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 2N3208 , 2N3209 , 2N3209AQF .

 

 
Back to Top