2SC2160 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SC2160  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 3 W

Tensión colector-base (Vcb): 38 V

Tensión colector-emisor (Vce): 18 V

Tensión emisor-base (Veb): 3 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 1200 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 5 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 50

Encapsulados: TO5

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2SC2160 datasheet

 8.1. Size:73K  sanyo
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2SC2160

 8.2. Size:26K  jmnic
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2SC2160

Product Specification Silicon NPN Power Transistor 2SC2166 DESCRIPTION High Power Gain- Gpe 13.8dB @f= 27MHz, PO= 6W; VCC= 12V High Reliability APPLICATIONS Designed for 3 to 4 watts output power amplifiers in HF band mobile radio applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage 45 V VCER Collector-Emit

 8.3. Size:230K  inchange semiconductor
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2SC2160

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2167 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 150V(Min) (BR)CEO DC Current Gain- h = 60(Min)@ (V = 10V, I = 0.7A) FE CE C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for TV vertical output ,audio output driver and general purpose applications. ABSOLUTE MAXIMUM RA

 8.4. Size:185K  inchange semiconductor
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