2SC2160 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC2160  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 38 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO5

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SC2160

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC2160 даташит

 8.1. Size:73K  sanyo
 2sc2161.pdf pdf_icon

2SC2160

 8.2. Size:26K  jmnic
 2sc2166.pdf pdf_icon

2SC2160

Product Specification Silicon NPN Power Transistor 2SC2166 DESCRIPTION High Power Gain- Gpe 13.8dB @f= 27MHz, PO= 6W; VCC= 12V High Reliability APPLICATIONS Designed for 3 to 4 watts output power amplifiers in HF band mobile radio applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage 45 V VCER Collector-Emit

 8.3. Size:230K  inchange semiconductor
 2sc2167.pdf pdf_icon

2SC2160

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2167 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 150V(Min) (BR)CEO DC Current Gain- h = 60(Min)@ (V = 10V, I = 0.7A) FE CE C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for TV vertical output ,audio output driver and general purpose applications. ABSOLUTE MAXIMUM RA

 8.4. Size:185K  inchange semiconductor
 2sc2166.pdf pdf_icon

2SC2160

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC2149, 2SC215, 2SC2150, 2SC2151, 2SC2152, 2SC2153, 2SC2159, 2SC216, TIP42C, 2SC2161, 2SC2162, 2SC2163, 2SC2164, 2SC2165, 2SC2166, 2SC2167, 2SC2168