2SC2314D Todos los transistores

 

2SC2314D . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC2314D
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 75 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 180 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 25 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: TO126
 

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2SC2314D Datasheet (PDF)

 7.1. Size:85K  sanyo
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 7.2. Size:194K  inchange semiconductor
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2SC2314D

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2314DESCRIPTIONCollector-Emitter Voltage-:V = 75V(Min) ;R =150CER BECollector Current-:I =1.5ACLow Saturation Voltage: V =0.6V(MAX)@ IC=0.5ACE(sat)Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower Amplifier ApplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAM

 8.1. Size:41K  hitachi
 2sc2310 2sc458.pdf pdf_icon

2SC2314D

2SC458 (LG), 2SC2310Silicon NPN EpitaxialApplication Low frequency low noise amplifier Complementary pair with 2SA1031 and 2SA1032OutlineTO-92 (1)1. Emitter2. Collector3. Base3212SC458 (LG), 2SC2310Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol 2SC458 (LG) 2SC2310 UnitCollector to base voltage VCBO 30 55 VCollector to emitter voltage VCEO 30 50 VEmit

 8.2. Size:72K  sanken-ele
 2sc2315 2sc2316.pdf pdf_icon

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