2SC2314D - описание и поиск аналогов

 

2SC2314D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC2314D

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для 2SC2314D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC2314D даташит

 7.1. Size:85K  sanyo
 2sc2314.pdf pdf_icon

2SC2314D

 7.2. Size:194K  inchange semiconductor
 2sc2314.pdf pdf_icon

2SC2314D

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2314 DESCRIPTION Collector-Emitter Voltage- V = 75V(Min) ;R =150 CER BE Collector Current- I =1.5A C Low Saturation Voltage V =0.6V(MAX)@ IC=0.5A CE(sat) Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power Amplifier Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAM

 8.1. Size:41K  hitachi
 2sc2310 2sc458.pdf pdf_icon

2SC2314D

2SC458 (LG), 2SC2310 Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency low noise amplifier Complementary pair with 2SA1031 and 2SA1032 Outline TO-92 (1) 1. Emitter 2. Collector 3. Base 3 2 1 2SC458 (LG), 2SC2310 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol 2SC458 (LG) 2SC2310 Unit Collector to base voltage VCBO 30 55 V Collector to emitter voltage VCEO 30 50 V Emit

 8.2. Size:72K  sanken-ele
 2sc2315 2sc2316.pdf pdf_icon

2SC2314D

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC231, 2SC2310, 2SC2310O, 2SC2310R, 2SC2311, 2SC2312, 2SC2313, 2SC2314, BD335, 2SC2314E, 2SC2314F, 2SC2315, 2SC2316, 2SC2316O, 2SC2316Y, 2SC2317, 2SC2318

 

 

 

 

↑ Back to Top
.