2SC2713BL . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SC2713BL
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-base (Vcb): 120 V
Tensión colector-emisor (Vce): 120 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 4 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 350
Paquete / Cubierta: TO236
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2SC2713BL
2SC2713BL Datasheet (PDF)
2sc2713-gr 2sc2713-bl.pdf
2SC2713 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SC2713 Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Unit: mm High voltage: V = 120 V CEO Excellent h linearity: h (I = 0.1 mA)/h (I = 2 mA) = 0.95 (typ.) FE FE C FE C High h h = 200 to 700 FE: FE Low noise: NF = 1dB (typ.), 10dB (max) Complementary to 2SA1163 Small pack
2sc2713.pdf
2SC2713 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SC2713 Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Unit: mm High voltage: VCEO = 120 V Excellent h linearity: h (I = 0.1 mA)/h (I = 2 mA) = 0.95 (typ.) FE FE C FE C High h h = 200~700 FE: FE Low noise: NF = 1dB (typ.), 10dB (max) Complementary to 2SA1163 Small package
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SMD Type TransistorsNPN Transistors2SC2713SOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4 -0.1 Features 3 High voltage: VCEO = 120 V High hFE: hFE = 200~700 Low noise: NF = 1dB (typ.), 10dB (max) 1 2+0.050.95+0.1-0.1 0.1 -0.01 Small package1.9+0.1-0.1 Complementary to 2SA11631.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Otros transistores... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 13009 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
