Биполярный транзистор 2SC2713BL - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC2713BL
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 350
Корпус транзистора: TO236
Аналоги (замена) для 2SC2713BL
2SC2713BL Datasheet (PDF)
2sc2713-gr 2sc2713-bl.pdf
2SC2713 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SC2713 Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Unit: mm High voltage: V = 120 V CEO Excellent h linearity: h (I = 0.1 mA)/h (I = 2 mA) = 0.95 (typ.) FE FE C FE C High h h = 200 to 700 FE: FE Low noise: NF = 1dB (typ.), 10dB (max) Complementary to 2SA1163 Small pack
2sc2713.pdf
2SC2713 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SC2713 Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Unit: mm High voltage: VCEO = 120 V Excellent h linearity: h (I = 0.1 mA)/h (I = 2 mA) = 0.95 (typ.) FE FE C FE C High h h = 200~700 FE: FE Low noise: NF = 1dB (typ.), 10dB (max) Complementary to 2SA1163 Small package
2sc2713.pdf
SMD Type TransistorsNPN Transistors2SC2713SOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4 -0.1 Features 3 High voltage: VCEO = 120 V High hFE: hFE = 200~700 Low noise: NF = 1dB (typ.), 10dB (max) 1 2+0.050.95+0.1-0.1 0.1 -0.01 Small package1.9+0.1-0.1 Complementary to 2SA11631.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D882P , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
