2SC2716Y . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SC2716Y
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-base (Vcb): 35 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 80 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
Paquete / Cubierta: TO236
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2SC2716Y
2SC2716Y Datasheet (PDF)
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2SC2716 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SC2716 High Frequency Amplifier Applications Unit: mm AM High Frequency Amplifier Applications AM Frequency Converter Applications Low noise figure: NF = 3.5dB (max) (f = 1 MHz) Maximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 35 VCollector-emitter v
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SMD Type TransistorsNPN Transistors2SC2716SOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4 -0.13 Features Collector Current Capability IC=100mA1 2 Collector Emitter Voltage VCEO=30V+0.10.95-0.1 0.1+0.05-0.01+0.11.9-0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO 35 Collect
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INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2716 DESCRIPTION High Power Gain- : Gp12dB,f= 27MHz, PO= 16W High Reliability APPLICATIONS Designed for RF power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE UNITVCBO Collector-Base Voltage 80 V VCEO Collector-Emitter Voltage 30 V VEBO Emit
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History: MP3563
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