2SC272 Todos los transistores

 

2SC272 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC272
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.036 W
   Tensión colector-base (Vcb): 25 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 12 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.02 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 600 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: TO50-1
 

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2SC272 Datasheet (PDF)

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2SC272

 0.2. Size:107K  nec
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2SC272

DATA SHEETSILICON TRANSISTOR2SC2721NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTORFOR HIGH-FREQUENCY AMPLIFIERS AND MID-SPEED SWITCHINGFEATURES PACKAGE DRAWING (UNIT: mm) Complementary transistor with 2SA1154 High PT in small dimension and high voltagePT = 1 W, VCEO = 60 VABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25C)Parameter Symbol Ratings UnitCollector to base voltage VCBO 60

 0.3. Size:187K  inchange semiconductor
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2SC272

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC2723DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 400V(Min)(BR)CEOHigh Switching SpeedHigh Reliability100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for switching regulator and general purposeapplications.ABSOLU

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History: 2SD665

 

 
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