2SC272. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC272

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.036 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 600 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO50-1

 Аналоги (замена) для 2SC272

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC272 даташит

 0.1. Size:215K  1
 2sc2724.pdf pdf_icon

2SC272

 0.2. Size:107K  nec
 2sc2721.pdf pdf_icon

2SC272

DATA SHEET SILICON TRANSISTOR 2SC2721 NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY AMPLIFIERS AND MID-SPEED SWITCHING FEATURES PACKAGE DRAWING (UNIT mm) Complementary transistor with 2SA1154 High PT in small dimension and high voltage PT = 1 W, VCEO = 60 V ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25 C) Parameter Symbol Ratings Unit Collector to base voltage VCBO 60

 0.3. Size:187K  inchange semiconductor
 2sc2723.pdf pdf_icon

2SC272

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2723 DESCRIPTION High Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 400V(Min) (BR)CEO High Switching Speed High Reliability 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for switching regulator and general purpose applications. ABSOLU

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC2715Y, 2SC2716, 2SC2716O, 2SC2716R, 2SC2716Y, 2SC2717, 2SC2718, 2SC2719, BC547, 2SC2720, 2SC2721, 2SC2722, 2SC2723, 2SC2724, 2SC2725, 2SC2726, 2SC2727