2SC2729 Todos los transistores

 

2SC2729 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC2729
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 15 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 1300 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 0.8 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
   Paquete / Cubierta: TO117

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2SC2729 Datasheet (PDF)

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2SC2729

 8.2. Size:107K  nec
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2SC2729

DATA SHEET SILICON TRANSISTOR 2SC2721 NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY AMPLIFIERS AND MID-SPEED SWITCHING FEATURES PACKAGE DRAWING (UNIT mm) Complementary transistor with 2SA1154 High PT in small dimension and high voltage PT = 1 W, VCEO = 60 V ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25 C) Parameter Symbol Ratings Unit Collector to base voltage VCBO 60

 8.3. Size:187K  inchange semiconductor
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2SC2729

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2723 DESCRIPTION High Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 400V(Min) (BR)CEO High Switching Speed High Reliability 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for switching regulator and general purpose applications. ABSOLU

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History: 2SB356 | PDTA144WK

 

 
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