2SC2729 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SC2729
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
Tensión colector-base (Vcb): 15 V
Tensión emisor-base (Veb): 3 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 1300 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 0.8 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
Paquete / Cubierta: TO117
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2SC2729
2SC2729 Datasheet (PDF)
2sc2721.pdf
DATA SHEETSILICON TRANSISTOR2SC2721NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTORFOR HIGH-FREQUENCY AMPLIFIERS AND MID-SPEED SWITCHINGFEATURES PACKAGE DRAWING (UNIT: mm) Complementary transistor with 2SA1154 High PT in small dimension and high voltagePT = 1 W, VCEO = 60 VABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25C)Parameter Symbol Ratings UnitCollector to base voltage VCBO 60
2sc2723.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC2723DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 400V(Min)(BR)CEOHigh Switching SpeedHigh Reliability100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for switching regulator and general purposeapplications.ABSOLU
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History: 2N1538A | 2N2316 | 2N1748
History: 2N1538A | 2N2316 | 2N1748
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050