2SC2729 Todos los transistores

 

2SC2729 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC2729
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 15 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 1300 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 0.8 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
   Paquete / Cubierta: TO117
 

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2SC2729 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:215K  1
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2SC2729

 8.2. Size:107K  nec
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2SC2729

DATA SHEETSILICON TRANSISTOR2SC2721NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTORFOR HIGH-FREQUENCY AMPLIFIERS AND MID-SPEED SWITCHINGFEATURES PACKAGE DRAWING (UNIT: mm) Complementary transistor with 2SA1154 High PT in small dimension and high voltagePT = 1 W, VCEO = 60 VABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25C)Parameter Symbol Ratings UnitCollector to base voltage VCBO 60

 8.3. Size:187K  inchange semiconductor
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2SC2729

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC2723DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 400V(Min)(BR)CEOHigh Switching SpeedHigh Reliability100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for switching regulator and general purposeapplications.ABSOLU

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History: 2SA1426 | DRA3A14Y | 2N282

 

 
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