2SC2983O Todos los transistores

 

2SC2983O . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC2983O
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 160 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 160 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 25 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
   Paquete / Cubierta: DPAK

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2SC2983O Datasheet (PDF)

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2SC2983O

2SC2983 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SC2983 Power Amplifier Applications Unit mm Driver Stage Amplifier Applications High transition frequency fT = 100 MHz (typ.) Complementary to 2SA1225 Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 160 V Collector-emitter voltage VCEO 160 V Emitter-ba

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2SC2983O

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2SC2983O

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-252-2L Plastic-Encapsulate Transistors 2SC2983 TRANSISTOR (NPN) TO-252-2L FEATURES 1. BASE High Transition Frequency 2. COLLECTOR 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 160 V VCEO Collector-Emitter Voltage 160 V VEBO Emitter-Base Voltage

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History: MP3611 | 2SC3142 | 2SC4189 | 2SC4202 | GT702V | BC179 | RN1907AFS

 

 
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