2SC2983O datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC2983O  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: DPAK

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SC2983O

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC2983O даташит

 7.1. Size:128K  toshiba
 2sc2983.pdf pdf_icon

2SC2983O

2SC2983 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SC2983 Power Amplifier Applications Unit mm Driver Stage Amplifier Applications High transition frequency fT = 100 MHz (typ.) Complementary to 2SA1225 Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 160 V Collector-emitter voltage VCEO 160 V Emitter-ba

 7.2. Size:566K  mcc
 2sc2983-o.pdf pdf_icon

2SC2983O

 7.3. Size:566K  mcc
 2sc2983-y.pdf pdf_icon

2SC2983O

 7.4. Size:872K  jiangsu
 2sc2983.pdf pdf_icon

2SC2983O

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-252-2L Plastic-Encapsulate Transistors 2SC2983 TRANSISTOR (NPN) TO-252-2L FEATURES 1. BASE High Transition Frequency 2. COLLECTOR 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 160 V VCEO Collector-Emitter Voltage 160 V VEBO Emitter-Base Voltage

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC2980, 2SC2981, 2SC2982, 2SC2982A, 2SC2982B, 2SC2982C, 2SC2982D, 2SC2983, 2SC2655, 2SC2983Y, 2SC2984, 2SC2985, 2SC2986, 2SC2986O, 2SC2986R, 2SC2986Y, 2SC2987