2SC302M Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SC302M  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.36 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 185 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 210 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 7 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 50

Encapsulados: TO18

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2SC302M datasheet

 8.1. Size:37K  hitachi
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2SC302M

 8.2. Size:189K  inchange semiconductor
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2SC302M

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3026 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 800V(Min) (BR)CEO Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 2.0V(Max)@ I = 5A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high-voltage power switching character display horizontal deflection output applic

 8.3. Size:188K  inchange semiconductor
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2SC302M

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3025 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 800V(Min) (BR)CEO Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 2.0V(Max)@ I = 5A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high-voltage power switching character display horizontal deflection output applic

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