2SC302M Todos los transistores

 

2SC302M . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC302M
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.36 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 185 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 210 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 7 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
   Paquete / Cubierta: TO18
     - Selección de transistores por parámetros

 

2SC302M Datasheet (PDF)

 8.1. Size:37K  hitachi
 2sc3025 2sc3026.pdf pdf_icon

2SC302M

 8.2. Size:189K  inchange semiconductor
 2sc3026.pdf pdf_icon

2SC302M

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3026DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 800V(Min)(BR)CEOCollector-Emitter Saturation Voltage-: V = 2.0V(Max)@ I = 5ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high-voltage power switching character displayhorizontal deflection output applic

 8.3. Size:188K  inchange semiconductor
 2sc3025.pdf pdf_icon

2SC302M

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3025DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 800V(Min)(BR)CEOCollector-Emitter Saturation Voltage-: V = 2.0V(Max)@ I = 5ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high-voltage power switching character displayhorizontal deflection output applic

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History: KSD13003ER | BFR87B

 

 
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