2SC302M datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC302M  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 185 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 210 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO18

  📄📄 Копировать ⓘ

 Аналоги (замена) для 2SC302M

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC302M даташит

 8.1. Size:37K  hitachi
 2sc3025 2sc3026.pdf pdf_icon

2SC302M

 8.2. Size:189K  inchange semiconductor
 2sc3026.pdf pdf_icon

2SC302M

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3026 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 800V(Min) (BR)CEO Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 2.0V(Max)@ I = 5A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high-voltage power switching character display horizontal deflection output applic

 8.3. Size:188K  inchange semiconductor
 2sc3025.pdf pdf_icon

2SC302M

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3025 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 800V(Min) (BR)CEO Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 2.0V(Max)@ I = 5A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high-voltage power switching character display horizontal deflection output applic

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC3022, 2SC3023, 2SC3024, 2SC3025, 2SC3026, 2SC3027, 2SC3028, 2SC3029, 2SD718, 2SC303, 2SC3030, 2SC3031, 2SC3032, 2SC3033, 2SC3034, 2SC3035, 2SC3036