2SC322 Todos los transistores

 

2SC322 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC322
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.36 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 225 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: TO18
 

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2SC322 datasheet

 0.1. Size:361K  1
 2sc2937 2sc3224 2sc3262 2sc3261 2sc3259 2sc2507 2sc2506 2sc2829 2sc2827 2sc2826.pdf pdf_icon

2SC322

 0.2. Size:212K  toshiba
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2SC322

 0.3. Size:91K  inchange semiconductor
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2SC322

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC3220 DESCRIPTION With TO-247 package Switching power transistor High breakdown voltage PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-247) and symbol 3 Emitter Absolute maximum ratings(Tc=25 ) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE U

 0.4. Size:179K  inchange semiconductor
 2sc3229.pdf pdf_icon

2SC322

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3229 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 300V(Min) (BR)CEO High Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for switching regulator, lighting inverter and general purpose applications. ABSOLUTE MAX

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