2SC322 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC322  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 225 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO18

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SC322

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC322 даташит

 0.2. Size:212K  toshiba
2sc3225.pdfpdf_icon

2SC322

 0.3. Size:91K  inchange semiconductor
2sc3220.pdfpdf_icon

2SC322

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC3220 DESCRIPTION With TO-247 package Switching power transistor High breakdown voltage PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-247) and symbol 3 Emitter Absolute maximum ratings(Tc=25 ) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE U

 0.4. Size:179K  inchange semiconductor
2sc3229.pdfpdf_icon

2SC322

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3229 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 300V(Min) (BR)CEO High Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for switching regulator, lighting inverter and general purpose applications. ABSOLUTE MAX

Другие транзисторы: 2SC3213, 2SC3214, 2SC3215, 2SC3216, 2SC3217, 2SC3218, 2SC3219, 2SC321H, C1815, 2SC3220, 2SC3221, 2SC3222, 2SC3223, 2SC3224, 2SC3225, 2SC3226, 2SC3227