2SC3281R Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SC3281R
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W
Tensión colector-base (Vcb): 200 V
Tensión colector-emisor (Vce): 200 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 30 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 270 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 80
Encapsulados: TO3PL
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2SC3281R datasheet
2sc3281.pdf
JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC3281 DESCRIPTION With TO-3PL package Complement to type 2SA1302 APPLICATIONS Power amplifier applications Recommended for 100W high fidelity audio frequency amplifier output stage PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-3PL) and symbol 3
2sc3281.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3281 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 200V(Min) (BR)CEO Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 3.0V(Max)@ I = 10A, I = 1A CE(sat) C B High Power Dissipation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power amplifier applications Recommend for 100W high fid
Otros transistores... 2SC3279N , 2SC3279P , 2SC328 , 2SC3280 , 2SC3280O , 2SC3280R , 2SC3281 , 2SC3281O , 2N3055 , 2SC3282 , 2SC3282A , 2SC3283 , 2SC3283A , 2SC3284 , 2SC3285 , 2SC3286 , 2SC3287 .
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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