2SC3281R Todos los transistores

 

2SC3281R . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC3281R
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W
   Tensión colector-base (Vcb): 200 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 200 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 30 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 270 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
   Paquete / Cubierta: TO3PL
     - Selección de transistores por parámetros

 

2SC3281R Datasheet (PDF)

 7.1. Size:134K  mospec
 2sc3281.pdf pdf_icon

2SC3281R

AAA

 7.2. Size:190K  jmnic
 2sc3281.pdf pdf_icon

2SC3281R

JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC3281 DESCRIPTION With TO-3PL package Complement to type 2SA1302 APPLICATIONS Power amplifier applications Recommended for 100W high fidelity audio frequency amplifier output stage PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-3PL) and symbol 3

 7.3. Size:202K  inchange semiconductor
 2sc3281.pdf pdf_icon

2SC3281R

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3281DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 200V(Min)(BR)CEOCollector-Emitter Saturation Voltage-: V = 3.0V(Max)@ I = 10A, I = 1ACE(sat) C BHigh Power DissipationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applicationsRecommend for 100W high fid

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History: KT644G | FCX1151A | BSP62T1 | BCW92KA | AD438 | BDT32 | PDTC123TU

 

 
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