2SC3281R - описание и поиск аналогов

 

Аналоги 2SC3281R. Основные параметры


   Наименование производителя: 2SC3281R
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 270 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: TO3PL

 Аналоги (замена) для 2SC3281R

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC3281R даташит

 7.1. Size:134K  mospec
 2sc3281.pdf pdf_icon

2SC3281R

A A A

 7.2. Size:190K  jmnic
 2sc3281.pdf pdf_icon

2SC3281R

JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC3281 DESCRIPTION With TO-3PL package Complement to type 2SA1302 APPLICATIONS Power amplifier applications Recommended for 100W high fidelity audio frequency amplifier output stage PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-3PL) and symbol 3

 7.3. Size:202K  inchange semiconductor
 2sc3281.pdf pdf_icon

2SC3281R

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3281 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 200V(Min) (BR)CEO Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 3.0V(Max)@ I = 10A, I = 1A CE(sat) C B High Power Dissipation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power amplifier applications Recommend for 100W high fid

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SC3279N , 2SC3279P , 2SC328 , 2SC3280 , 2SC3280O , 2SC3280R , 2SC3281 , 2SC3281O , 2N3055 , 2SC3282 , 2SC3282A , 2SC3283 , 2SC3283A , 2SC3284 , 2SC3285 , 2SC3286 , 2SC3287 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.