2N199 Todos los transistores

 

2N199 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N199
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 36 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 75 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 0.2 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 60 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
   Paquete / Cubierta: TO29
     - Selección de transistores por parámetros

 

2N199 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:11K  semelab
 2n1991.pdf pdf_icon

2N199

2N1991Dimensions in mm (inches). Bipolar PNP Device in a 8.51 (0.34)9.40 (0.37) Hermetically sealed TO39 7.75 (0.305)8.51 (0.335)Metal Package. 6.10 (0.240)6.60 (0.260)Bipolar PNP Device. 0.89max.(0.035)12.70(0.500)min. 0.41 (0.016)0.53 (0.021)VCEO = 20V dia.IC = 0.3A 5.08 (0.200)typ.2.54All Semelab hermetically sealed products 2(0.100) 1

Otros transistores... 2N1982 , 2N1983 , 2N1984 , 2N1985 , 2N1986 , 2N1987 , 2N1988 , 2N1989 , BC558 , 2N1990 , 2N1990-46 , 2N1990N , 2N1990R , 2N1990S , 2N1990W , 2N1991 , 2N1991S .

History: 2SA489Y | 2SC2959 | 2SA909 | 2SC4321 | 2SA1480E | 2N4355 | 2N1196

 

 
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