2N199 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N199  📄📄 

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 75 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.2 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO29

 Аналоги (замена) для 2N199

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N199 даташит

 0.1. Size:11K  semelab
 2n1991.pdf pdf_icon

2N199

2N1991 Dimensions in mm (inches). Bipolar PNP Device in a 8.51 (0.34) 9.40 (0.37) Hermetically sealed TO39 7.75 (0.305) 8.51 (0.335) Metal Package. 6.10 (0.240) 6.60 (0.260) Bipolar PNP Device. 0.89 max. (0.035) 12.70 (0.500) min. 0.41 (0.016) 0.53 (0.021) VCEO = 20V dia. IC = 0.3A 5.08 (0.200) typ. 2.54 All Semelab hermetically sealed products 2 (0.100) 1

Другие транзисторы: 2N1982, 2N1983, 2N1984, 2N1985, 2N1986, 2N1987, 2N1988, 2N1989, 2SC2625, 2N1990, 2N1990-46, 2N1990N, 2N1990R, 2N1990S, 2N1990W, 2N1991, 2N1991S