Справочник транзисторов. 2N199

 

Биполярный транзистор 2N199 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2N199
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 75 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.2 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: TO29

 Аналоги (замена) для 2N199

 

 

2N199 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:11K  semelab
2n1991.pdf

2N199

2N1991Dimensions in mm (inches). Bipolar PNP Device in a 8.51 (0.34)9.40 (0.37) Hermetically sealed TO39 7.75 (0.305)8.51 (0.335)Metal Package. 6.10 (0.240)6.60 (0.260)Bipolar PNP Device. 0.89max.(0.035)12.70(0.500)min. 0.41 (0.016)0.53 (0.021)VCEO = 20V dia.IC = 0.3A 5.08 (0.200)typ.2.54All Semelab hermetically sealed products 2(0.100) 1

Другие транзисторы... 2N1982 , 2N1983 , 2N1984 , 2N1985 , 2N1986 , 2N1987 , 2N1988 , 2N1989 , TIP127 , 2N1990 , 2N1990-46 , 2N1990N , 2N1990R , 2N1990S , 2N1990W , 2N1991 , 2N1991S .

 

 
Back to Top