2N1990S Todos los transistores

 

2N1990S . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N1990S
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 40 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 20 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: TO5

 Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2N1990S

 

2N1990S Datasheet (PDF)

 9.1. Size:11K  semelab
 2n1991.pdf pdf_icon

2N1990S

2N1991 Dimensions in mm (inches). Bipolar PNP Device in a 8.51 (0.34) 9.40 (0.37) Hermetically sealed TO39 7.75 (0.305) 8.51 (0.335) Metal Package. 6.10 (0.240) 6.60 (0.260) Bipolar PNP Device. 0.89 max. (0.035) 12.70 (0.500) min. 0.41 (0.016) 0.53 (0.021) VCEO = 20V dia. IC = 0.3A 5.08 (0.200) typ. 2.54 All Semelab hermetically sealed products 2 (0.100) 1

Otros transistores... 2N1987 , 2N1988 , 2N1989 , 2N199 , 2N1990 , 2N1990-46 , 2N1990N , 2N1990R , C3198 , 2N1990W , 2N1991 , 2N1991S , 2N1992 , 2N1993 , 2N1994 , 2N1995 , 2N1996 .

History: RN1605 | FJN3301R | 2SD389 | DTA044EEB | MS1649 | BUT36 | 2SD2182

 

 
Back to Top

 


 
.