Справочник транзисторов. 2N1990S

 

Биполярный транзистор 2N1990S - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2N1990S
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO5

 Аналоги (замена) для 2N1990S

 

 

2N1990S Datasheet (PDF)

 9.1. Size:11K  semelab
2n1991.pdf

2N1990S

2N1991Dimensions in mm (inches). Bipolar PNP Device in a 8.51 (0.34)9.40 (0.37) Hermetically sealed TO39 7.75 (0.305)8.51 (0.335)Metal Package. 6.10 (0.240)6.60 (0.260)Bipolar PNP Device. 0.89max.(0.035)12.70(0.500)min. 0.41 (0.016)0.53 (0.021)VCEO = 20V dia.IC = 0.3A 5.08 (0.200)typ.2.54All Semelab hermetically sealed products 2(0.100) 1

Другие транзисторы... 2N1987 , 2N1988 , 2N1989 , 2N199 , 2N1990 , 2N1990-46 , 2N1990N , 2N1990R , 2SB817 , 2N1990W , 2N1991 , 2N1991S , 2N1992 , 2N1993 , 2N1994 , 2N1995 , 2N1996 .

 

 
Back to Top