2SC4688O Todos los transistores

 

2SC4688O . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC4688O
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 55 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 30 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 105 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
   Paquete / Cubierta: ISO247
 

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2SC4688O Datasheet (PDF)

 7.1. Size:177K  toshiba
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2SC4688O

 7.2. Size:123K  jmnic
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2SC4688O

Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistors 2SC4688 DESCRIPTION With TO-3PFM package Complement to type 2SA1803 APPLICATIONS Power amplifier applications Recommend for 40W high fidelity audio frequency amplifier output stage PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 Collector3 EmitterFig.1 simplified outline (TO-3PFM) and symbol Maximum absolu

 7.3. Size:195K  inchange semiconductor
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2SC4688O

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC4688DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 80V(Min)(BR)CEOCollector-Emitter Saturation Voltage-: V = 2.0V(Max)@ I = 5ACE(sat) CComplement to Type 2SA1803100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier ap

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History: TN5857 | 2SD1993 | L2SD2114KVLT1G | 2SC4196 | 3DD13005ED | TA1767 | KSB1023

 

 
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