2SC4688O datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC4688O  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 55 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 105 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: ISO247

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SC4688O

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC4688O даташит

 7.1. Size:177K  toshiba
 2sc4688.pdf pdf_icon

2SC4688O

 7.2. Size:123K  jmnic
 2sc4688.pdf pdf_icon

2SC4688O

Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistors 2SC4688 DESCRIPTION With TO-3PFM package Complement to type 2SA1803 APPLICATIONS Power amplifier applications Recommend for 40W high fidelity audio frequency amplifier output stage PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Collector 3 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3PFM) and symbol Maximum absolu

 7.3. Size:195K  inchange semiconductor
 2sc4688.pdf pdf_icon

2SC4688O

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SC4688 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 80V(Min) (BR)CEO Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 2.0V(Max)@ I = 5A CE(sat) C Complement to Type 2SA1803 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power amplifier ap

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC4682, 2SC4683, 2SC4684, 2SC4685, 2SC4686, 2SC4686A, 2SC4687, 2SC4688, TIP32C, 2SC4688R, 2SC4689, 2SC4689O, 2SC4689R, 2SC468A, 2SC468H, 2SC469, 2SC4690