2SC4789 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SC4789  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W

Tensión colector-base (Vcb): 1500 V

Tensión colector-emisor (Vce): 800 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 25 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10

Encapsulados: TO3PL

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2SC4789 datasheet

 ..1. Size:20K  hitachi
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2SC4789

 ..2. Size:186K  inchange semiconductor
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2SC4789

isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2SC4789 DESCRIPTION Silicon NPN triple diffused High Switching Speed High Breakdown Voltage High speed switching time 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Character display horizontal deffection output Suitable for large size CRT

 8.1. Size:120K  toshiba
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2SC4789

 8.2. Size:37K  nec
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2SC4789

DATA SHEET NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 2SC4783 NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR DESCRIPTION PACKAGE DRAWING (Unit mm) The 2SC4783 is NPN silicon epitaxial transistor. 0.3 0.05 0.1+0.1 0.05 FEATURES High DC current gain hFE2 = 200 TYP. High voltage VCEO = 50 V 3 0 to 0.1 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C) 2 1 Collector to Base Voltage VCBO 60 V 0.2+0.1

Otros transistores... 2SC4762, 2SC4763, 2SC4764, 2SC4765, 2SC4766, 2SC477, 2SC478, 2SC4781, 8050, 2SC479, 2SC4793, 2SC4796, 2SC4797, 2SC479H, 2SC48, 2SC480, 2SC4806