2SC564 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SC564  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.65 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 40 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 20

Encapsulados: TO39

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2SC564 datasheet

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2SC564

Ordering number ENN7326 2SC5647 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SC5647 UHF to S Band Low-Noise Amplifier and OSC Applications Features Package Dimensions Low noise NF=2.6dB typ (f=2GHz). unit mm High cutoff frequency fT=9.0GHz typ (VCE=1V). 2106A fT=11.5GHz typ (VCE=3V). [2SC5647] Low operating voltage. 0.75 High gain S21e 2=10.5dB typ (f=2

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2SC564

Ordering number ENN6588 2SC5645 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SC5645 UHF to S Band Low-Noise Amplifier and OSC Applications Features Package Dimensions Low noise NF=1.5dB typ (f=2GHz). unit mm High cutoff frequency fT=10GHz typ (VCE=1V). 2106A fT=12.5GHz typ (VCE=3V). [2SC5645] Low-voltage operating . High gain S21e 2=9.5dB typ (f=2GHz). 0

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2SC564

Ordering number ENA1120 2SC5646A SANYO Semiconductors DATA SHEET NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor UHF to S-Band Low-Noise Amplifier, 2SC5646A OSC Applications Features Low-noise NF=1.5dB typ (f=2GHz). High cut-off frequency fT=10GHz typ (VCE=1V). fT=12.5GHz typ (VCE=3V). Low-voltage operation. High gain S21e 2=9.5dB typ (f=2GHz). Ultrasmall

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2SC564

Ordering number ENN6606 2SC5646 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SC5646 UHF to S Band Low-Noise Amplifier and OSC Applications Features Package Dimensions Low-noise use NF=1.5dB typ (f=2GHz). unit mm High cut-off frequency fT=10GHz typ (VCE=1V). 2159 fT=12.5GHz typ (VCE=3V). [2SC5646] Low operating voltage. High gain S21e 2=9.5dB typ (f=2GHz).

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