2SC579 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SC579

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.36 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 40

Encapsulados: TO18

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2SC579 datasheet

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2SC579

No. N7451 2SC5793 N7451 No. 31504 NPN CRT 2SC5793 VCBO=1600V HVP MBIT Absolute Maxi

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2SC579

Ordering number ENN6994 2SC5792 NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 2SC5792 Ultrahigh-Definition CRT Display Horizontal Deflection Output Applications Features Package Dimensions High speed. unit mm High breakdown voltage(VCBO=1600V). 2174A High reliability(Adoption of HVP process). [2SC5792] Adoption of MBIT process. 5.6 3.4 16.0 3.1 2.8 2.0 2.

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2SC579

Ordering number ENN6993 2SC5791 NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 2SC5791 Ultrahigh-Definition CRT Display Horizontal Deflection Output Applications Features Package Dimensions High speed. unit mm High breakdown voltage(VCBO=1600V). 2174A High reliability(Adoption of HVP process). [2SC5791] Adoption of MBIT process. 5.6 3.4 16.0 3.1 2.8 2.0 2.

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