2SC579 Todos los transistores

 

2SC579 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC579
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.36 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO18
 

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2SC579 Datasheet (PDF)

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2SC579

No. N74512SC5793N7451No.31504 NPN CRT 2SC5793 VCBO=1600V HVP MBIT Absolute Maxi

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2SC579

Ordering number : ENN69942SC5792NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor2SC5792Ultrahigh-Definition CRT DisplayHorizontal Deflection Output ApplicationsFeaturesPackage Dimensions High speed.unit : mm High breakdown voltage(VCBO=1600V).2174A High reliability(Adoption of HVP process).[2SC5792] Adoption of MBIT process.5.63.416.03.12.82.0 2.

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2SC579

Ordering number : ENN69932SC5791NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor2SC5791Ultrahigh-Definition CRT DisplayHorizontal Deflection Output ApplicationsFeaturesPackage Dimensions High speed.unit : mm High breakdown voltage(VCBO=1600V).2174A High reliability(Adoption of HVP process).[2SC5791] Adoption of MBIT process.5.63.416.03.12.82.0 2.

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History: 2N3604 | DRC5143X | BD415 | KTC9011S | GES3569 | DRC5124E | BC337-040

 

 
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