2SC579. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC579

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO18

 Аналоги (замена) для 2SC579

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC579 даташит

 0.1. Size:51K  sanyo
 2sc5793.pdf pdf_icon

2SC579

No. N7451 2SC5793 N7451 No. 31504 NPN CRT 2SC5793 VCBO=1600V HVP MBIT Absolute Maxi

 0.2. Size:29K  sanyo
 2sc5792.pdf pdf_icon

2SC579

Ordering number ENN6994 2SC5792 NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 2SC5792 Ultrahigh-Definition CRT Display Horizontal Deflection Output Applications Features Package Dimensions High speed. unit mm High breakdown voltage(VCBO=1600V). 2174A High reliability(Adoption of HVP process). [2SC5792] Adoption of MBIT process. 5.6 3.4 16.0 3.1 2.8 2.0 2.

 0.3. Size:31K  sanyo
 2sc5791.pdf pdf_icon

2SC579

Ordering number ENN6993 2SC5791 NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 2SC5791 Ultrahigh-Definition CRT Display Horizontal Deflection Output Applications Features Package Dimensions High speed. unit mm High breakdown voltage(VCBO=1600V). 2174A High reliability(Adoption of HVP process). [2SC5791] Adoption of MBIT process. 5.6 3.4 16.0 3.1 2.8 2.0 2.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC571, 2SC572, 2SC573, 2SC574, 2SC575, 2SC576, 2SC577, 2SC578, BC549, 2SC58, 2SC580, 2SC581, 2SC582, 2SC582A, 2SC583, 2SC583Z, 2SC584