2SC825 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 2SC825
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
   Tensión colector-base (Vcb): 300 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 300 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 7 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: TO66

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2SC825

2SC825 Datasheet (PDF)

9.1. Size:55K panasonic
2sc829.pdf

Transistor2SC829Silicon NPN epitaxial planer typeFor high-frequency amplificationUnit: mm5.0 0.2 4.0 0.2FeaturesOptimum for RF amplification, oscillation, mixing, and IF stageof FM/AM radios.Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)Parameter Symbol Ratings Unit+0.2 +0.20.45 0.1 0.45 0.1Collector to base voltage VCBO 30 V1.27 1.27Collector to emitter voltage VCE

9.2. Size:59K panasonic
2sc829 e.pdf