2SC867 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SC867

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 23 W

Tensión colector-base (Vcb): 400 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 4 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 40

Encapsulados: TO66

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2SC867 datasheet

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2SC867

JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC867 DESCRIPTION With TO-66 package High collector-base breakdown voltage VCBO=400V(min) APPLICATIONS For high voltage and switching applications PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-66) and symbol 3 Collector Absolute maximum ratings(Ta= ) SYMBOL PARAMETER

 ..2. Size:189K  inchange semiconductor
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2SC867

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC867 DESCRIPTION With TO-66 Package Low collector saturation voltage Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in line-operated color TV chroma output circuits and sound output circuits. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Vo

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