2SC867. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC867

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 23 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO66

 Аналоги (замена) для 2SC867

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC867 даташит

 ..1. Size:154K  jmnic
 2sc867.pdf pdf_icon

2SC867

JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC867 DESCRIPTION With TO-66 package High collector-base breakdown voltage VCBO=400V(min) APPLICATIONS For high voltage and switching applications PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-66) and symbol 3 Collector Absolute maximum ratings(Ta= ) SYMBOL PARAMETER

 ..2. Size:189K  inchange semiconductor
 2sc867.pdf pdf_icon

2SC867

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC867 DESCRIPTION With TO-66 Package Low collector saturation voltage Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in line-operated color TV chroma output circuits and sound output circuits. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Vo

Другие транзисторы: 2SC86, 2SC860, 2SC861, 2SC862, 2SC863, 2SC864, 2SC865, 2SC866, BD140, 2SC867A, 2SC868, 2SC869, 2SC87, 2SC870, 2SC871, 2SC872, 2SC872M