2SD1000LL Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SD1000LL
Código: LL
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.7 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 55 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 13 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 90
Encapsulados: SOT89
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2SD1000LL datasheet
2sd1000l 2sd1000k.pdf
2SD1000 NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and amplifier applications. Especially suitable for AF-driver stages and low power output stages. O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage VCBO 40 V Collector Emitter Voltage VCEO 25 V Emitter Base Voltage VEBO 6 V Collector Current IC 0.8 A Power Dissipation Ptot 625
2sd1000.pdf
SMD Type Transistors NPN Transistors 2SD1000 Features 1.70 0.1 Low collector saturation voltage. VCE(sat)
Otros transistores... 2SC996 , 2SC997 , 2SC998 , 2SC999 , 2SC999A , 2SD100 , 2SD1000 , 2SD1000LK , 13009 , 2SD1000LM , 2SD1001 , 2SD1001FK , 2SD1001FL , 2SD1001FM , 2SD1002 , 2SD1003 , 2SD1004 .
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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