2SD1000LL - описание и поиск аналогов

 

2SD1000LL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SD1000LL

Маркировка: LL

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 55 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 90

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для 2SD1000LL

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD1000LL даташит

 6.1. Size:282K  cn shikues
2sd1000l 2sd1000k.pdfpdf_icon

2SD1000LL

2SD1000 NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and amplifier applications. Especially suitable for AF-driver stages and low power output stages. O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage VCBO 40 V Collector Emitter Voltage VCEO 25 V Emitter Base Voltage VEBO 6 V Collector Current IC 0.8 A Power Dissipation Ptot 625

 7.1. Size:218K  nec
2sd1000.pdfpdf_icon

2SD1000LL

 7.2. Size:1152K  kexin
2sd1000.pdfpdf_icon

2SD1000LL

SMD Type Transistors NPN Transistors 2SD1000 Features 1.70 0.1 Low collector saturation voltage. VCE(sat)

Другие транзисторы: 2SC996, 2SC997, 2SC998, 2SC999, 2SC999A, 2SD100, 2SD1000, 2SD1000LK, 13009, 2SD1000LM, 2SD1001, 2SD1001FK, 2SD1001FL, 2SD1001FM, 2SD1002, 2SD1003, 2SD1004

 

 

 

 

↑ Back to Top
.