2SD1000LM Todos los transistores

 

2SD1000LM . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SD1000LM
   Código: LM
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.7 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 55 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 13 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 160
   Paquete / Cubierta: SOT89
     - Selección de transistores por parámetros

 

2SD1000LM Datasheet (PDF)

 6.1. Size:282K  cn shikues
2sd1000l 2sd1000k.pdf pdf_icon

2SD1000LM

2SD1000NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and amplifier applications. Especially suitable for AF-driver stages and low power output stages. OAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage VCBO 40 VCollector Emitter Voltage VCEO 25 VEmitter Base Voltage VEBO 6 VCollector Current IC 0.8 APower Dissipation Ptot 625

 7.1. Size:218K  nec
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2SD1000LM

 7.2. Size:1152K  kexin
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2SD1000LM

SMD Type TransistorsNPN Transistors2SD1000 Features1.70 0.1 Low collector saturation voltage. VCE(sat)

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: BTB1198M3 | SFT107 | KT814B9 | MP8513 | CMBT9012 | LBC856AWT1G | RT1N250M

 

 
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