2SD1000LM - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Биполярный транзистор 2SD1000LM - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: 2SD1000LM
   Маркировка: LM
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 55 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 160
   Корпус транзистора: SOT89

Аналоги (замена) для 2SD1000LM

2SD1000LM Datasheet (PDF)

6.1. Size:282K cn shikues
2sd1000l 2sd1000k.pdf

2SD1000NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and amplifier applications. Especially suitable for AF-driver stages and low power output stages. OAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage VCBO 40 VCollector Emitter Voltage VCEO 25 VEmitter Base Voltage VEBO 6 VCollector Current IC 0.8 APower Dissipation Ptot 625

7.1. Size:218K nec
2sd1000.pdf