2SD1180 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SD1180
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W
Tensión colector-base (Vcb): 120 V
Tensión colector-emisor (Vce): 110 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
Paquete / Cubierta: TO218
Búsqueda de reemplazo de 2SD1180
2SD1180 Datasheet (PDF)
2sd1180.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SD1180DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 110V (Min)(BR)CEOLow collector saturation voltageWith TO-126 packageMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in audio and radio frequency power amplifiersapplications.ABSOL
Otros transistores... 2SD1176 , 2SD1176A , 2SD1177 , 2SD1177B , 2SD1177C , 2SD1178 , 2SD1179 , 2SD118 , 13007 , 2SD1181 , 2SD1182 , 2SD1183 , 2SD1184 , 2SD1185 , 2SD1186 , 2SD1187 , 2SD1187O .
History: FJN3314R | NB313X | BFQ64P | CIL415 | D43CJ2 | CIL391 | SE5055
History: FJN3314R | NB313X | BFQ64P | CIL415 | D43CJ2 | CIL391 | SE5055
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irfz44n equivalent | 2n2923 | 2n2102 | mj15003g | oc75 transistor | irfp260m | 2sc1213 | a1491 transistor