2SD1180 Todos los transistores

 

2SD1180 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SD1180
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W
   Tensión colector-base (Vcb): 120 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 110 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
   Paquete / Cubierta: TO218
 

 Búsqueda de reemplazo de 2SD1180

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

2SD1180 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:183K  inchange semiconductor
 2sd1180.pdf pdf_icon

2SD1180

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SD1180DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 110V (Min)(BR)CEOLow collector saturation voltageWith TO-126 packageMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in audio and radio frequency power amplifiersapplications.ABSOL

 8.1. Size:505K  1
 2sd1766 2sd1758 2sd1862 2sd1189f 2sd1055 2sd1919 2sd1227m.pdf pdf_icon

2SD1180

 8.2. Size:227K  toshiba
 2sd1187.pdf pdf_icon

2SD1180

 8.3. Size:135K  rohm
 2sd1189.pdf pdf_icon

2SD1180

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , BC546 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 2N942 | ESM952A | KRC406V

 

 
Back to Top

 


 
.