Справочник транзисторов. 2SD1180

 

Биполярный транзистор 2SD1180 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SD1180
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 110 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: TO218
 

 Аналог (замена) для 2SD1180

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD1180 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:183K  inchange semiconductor
2sd1180.pdfpdf_icon

2SD1180

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SD1180DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 110V (Min)(BR)CEOLow collector saturation voltageWith TO-126 packageMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in audio and radio frequency power amplifiersapplications.ABSOL

 8.2. Size:227K  toshiba
2sd1187.pdfpdf_icon

2SD1180

 8.3. Size:135K  rohm
2sd1189.pdfpdf_icon

2SD1180

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 8050 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

 

 
Back to Top

 


 
.