2SD1186 Todos los transistores

 

2SD1186 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SD1186
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W
   Tensión colector-base (Vcb): 1200 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 800 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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2SD1186 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:202K  inchange semiconductor
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2SD1186

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1186DESCRIPTIONHigh Breakdown Voltage-: V = 1500V (Min)CBOHigh ReliabilityMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power switching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 1500 VCBOV Collector-Emitte

 8.1. Size:505K  1
 2sd1766 2sd1758 2sd1862 2sd1189f 2sd1055 2sd1919 2sd1227m.pdf pdf_icon

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 8.2. Size:227K  toshiba
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 8.3. Size:135K  rohm
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History: 40635S

 

 
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