Справочник транзисторов. 2SD1186

 

Биполярный транзистор 2SD1186 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SD1186
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1200 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналог (замена) для 2SD1186

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD1186 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:202K  inchange semiconductor
 2sd1186.pdf pdf_icon

2SD1186

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1186DESCRIPTIONHigh Breakdown Voltage-: V = 1500V (Min)CBOHigh ReliabilityMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power switching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 1500 VCBOV Collector-Emitte

 8.1. Size:505K  1
 2sd1766 2sd1758 2sd1862 2sd1189f 2sd1055 2sd1919 2sd1227m.pdf pdf_icon

2SD1186

 8.2. Size:227K  toshiba
 2sd1187.pdf pdf_icon

2SD1186

 8.3. Size:135K  rohm
 2sd1189.pdf pdf_icon

2SD1186

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SD1179 , 2SD118 , 2SD1180 , 2SD1181 , 2SD1182 , 2SD1183 , 2SD1184 , 2SD1185 , TIP3055 , 2SD1187 , 2SD1187O , 2SD1187Y , 2SD1188 , 2SD1189 , 2SD119 , 2SD1190 , 2SD1191 .

 

 
Back to Top

 


 
.