Справочник транзисторов. 2SD1186

 

Биполярный транзистор 2SD1186 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SD1186

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1200 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80

Корпус транзистора: TO3

Аналоги (замена) для 2SD1186

 

 

2SD1186 Datasheet (PDF)

1.1. 2sd1186.pdf Size:114K _inchange_semiconductor

2SD1186
2SD1186

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD1186 DESCRIPTION Ў¤ With TO-3 package Ў¤ High breakdown voltage Ў¤ High speed switching APPLICATIONS Ў¤ Power switching applications PINNING(see Fig.2) PIN 1 2 3 Base Emitter Collector Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=Ўж ) SYMBOL VCBO VCEO VEBO

4.1. 2sd1187.pdf Size:227K _toshiba

2SD1186
2SD1186



4.2. 2sd1189.pdf Size:135K _rohm

2SD1186

 4.3. 2sd1185.pdf Size:56K _no

2SD1186

4.4. 2sd1187.pdf Size:240K _inchange_semiconductor

2SD1186
2SD1186

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1187 DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 80V(Min) ·Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= 0.5V(Max.) @ IC= 6A ·High Power Dissipation APPLICATIONS ·High power switching applications ·DC-DC converter and DC-AC inverter applications ABSOLUTE MAXIMUM RATIN

 4.5. 2sd1180.pdf Size:114K _inchange_semiconductor

2SD1186
2SD1186

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD1180 DESCRIPTION Ў¤ With TO-126 package Ў¤ Low collector saturation voltage APPLICATIONS Ў¤ Designed for use in audio and radio frequency power amplifiers PINNING PIN 1 2 3 DESCRIPTION Emitter Collector;connected to mounting base Base Absolute maximum ratings(Ta=25Ўж ) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC IC

4.6. 2sd1185.pdf Size:114K _inchange_semiconductor

2SD1186
2SD1186

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD1185 DESCRIPTION Ў¤ With TO-3 package Ў¤ High breakdown voltage Ў¤ High speed switching APPLICATIONS Ў¤ Power switching applications PINNING(see Fig.2) PIN 1 2 3 Base Emitter Collector Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=Ўж ) SYMBOL VCBO VCEO VEBO

Другие транзисторы... 2SC619 , 2SC62 , 2SC620 , 2SC620M , 2SC621 , 2SC621A , 2SC621M , 2SC622 , 2N5401 , 2SC623 , 2SC624 , 2SC626 , 2SC627 , 2SC627F , 2SC628 , 2SC629 , 2SC63 .

 

 
Back to Top