Справочник транзисторов. 2SD1186

 

Биполярный транзистор 2SD1186 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SD1186
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1200 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: TO3
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2SD1186 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:202K  inchange semiconductor
2sd1186.pdfpdf_icon

2SD1186

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1186DESCRIPTIONHigh Breakdown Voltage-: V = 1500V (Min)CBOHigh ReliabilityMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power switching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 1500 VCBOV Collector-Emitte

 8.2. Size:227K  toshiba
2sd1187.pdfpdf_icon

2SD1186

 8.3. Size:135K  rohm
2sd1189.pdfpdf_icon

2SD1186

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: BD402 | 40968 | 41501 | BFR71 | MRF342 | MRF9411BLT3

 

 
Back to Top

 


 
.