2SD1411O Todos los transistores

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2SD1411O . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SD1411O

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W

Tensión colector-base (Vcb): 100 V

Tensión colector-emisor (Vce): 80 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 7 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 10 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 250 pF

Ganancia de corriente contínua (hfe): 70

Empaquetado / Estuche: ISO220

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2SD1411O Datasheet (PDF)

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3.2. 2sd1411.pdf Size:184K _toshiba

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3.3. 2sd1411.pdf Size:171K _inchange_semiconductor

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Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD1411 DESCRIPTION Ў¤ With TO-220Fa package Ў¤ Low saturation voltage Ў¤ Complementary to 2SB1018 APPLICATIONS Ў¤ Power amplifier applications Ў¤ High current switching applications PINNING PIN 1 2 3 Base Collector Emitter DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=25Ўж ) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC

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