2SD1411O. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SD1411O

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 250 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO220F

 Аналоги (замена) для 2SD1411O

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD1411O даташит

 7.1. Size:184K  toshiba
 2sd1411.pdf pdf_icon

2SD1411O

 7.2. Size:216K  toshiba
 2sd1411a.pdf pdf_icon

2SD1411O

 7.3. Size:215K  inchange semiconductor
 2sd1411.pdf pdf_icon

2SD1411O

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1411 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage V = 0.5V(Max)@ I = 4A CE(sat) C Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 80V (Min) (BR)CEO Complement to Type 2SB1018 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS High current switching applications. Power amplifier applications.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD1408Y, 2SD1409, 2SD1409O, 2SD1409R, 2SD1409Y, 2SD141, 2SD1410, 2SD1411, BD222, 2SD1411Y, 2SD1412, 2SD1412O, 2SD1412Y, 2SD1413, 2SD1414, 2SD1415, 2SD1416