Справочник транзисторов. 2SD1411O

 

Биполярный транзистор 2SD1411O - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2SD1411O
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 250 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
   Корпус транзистора: TO220F

 Аналоги (замена) для 2SD1411O

 

 

2SD1411O Datasheet (PDF)

 7.1. Size:184K  toshiba
2sd1411.pdf

2SD1411O
2SD1411O

 7.2. Size:216K  toshiba
2sd1411a.pdf

2SD1411O
2SD1411O

 7.3. Size:215K  inchange semiconductor
2sd1411.pdf

2SD1411O
2SD1411O

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1411DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage: V = 0.5V(Max)@ I = 4ACE(sat) CCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 80V (Min)(BR)CEOComplement to Type 2SB1018Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh current switching applications.Power amplifier applications.

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

 

 
Back to Top